Näytetään tulokset 1 - 10 / 313
tulosta / sivu
Mitä julkaisutietoja palvelu sisältää?
Julkaisun nimi
Tekijät
Julkaisukanava
Vuosi
 Julkaisujen tiedon ikoni

Anisotropic defect structure of indium gallium phoshide on gallium arsenide

Riikonen, J.; Tuomi, T.; Knuuttila, L.; Hasennöhrl, S.; McNally, P.J.
-2004 Julkaisujen tiedon ikoni

Innovative Solvent Extraction Processes for the Separation of Indium, Germanium, and Gallium from Iron

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1007/978-3-031-50236-1_24
Helbig, Toni; Kelly, Norman; Patil, Ajay B.
The Minerals, Metals & Materials Series2024 Julkaisujen tiedon ikoni

Indium and Gallium Extraction using Ionic liquids: Experimental and Theoretical Study

Vertaisarvioitu
Teimouri, Samaneh; Potgieter, Johannes Herman; Billing, Caren; Conradie, Jeanet; Lundström, Mari L.;...
European Metallurgical Conference2023 Julkaisujen tiedon ikoni

Indium and Gallium Extraction using Ionic Liquids: Experimental and Theoretical Study

Teimouri, Samaneh; Potgieter, Johannes Herman; Billing, Caren; Conradie, Jeanet; Lundstrom, Mari; Wi...
World of Metallurgy, Erzmetall2023 Julkaisujen tiedon ikoni

Epitaxial lateral overgrowth of indium phosphide on silicon

Karilahti, M.; Tuomi, T.; Zytkiewicz, Z.R.; McNally, P.J.
-2003 Julkaisujen tiedon ikoni

Indium Phosphide MMICs for cryogenic space-borne radiometers

Kangaslahti, P.; Tanskanen, J.; Salminen, Hanna; Jukkala, P.; Karttaavi, Timo; Lahdes, Manu; Koistin...
Helsinki University of Technology: Laboratory of Space Technology. Report1998 Julkaisujen tiedon ikoni

Indium phosphide nanopillar growth by hydride vapour phase epitaxy

Olsson, F.; Berrier, A.; Hakkarainen, T.; Anand, S.; Lourdudoss, S.
-2007 Julkaisujen tiedon ikoni

Cryogenic indium-phosphide HEMT low-noise amplifiers at V-band

Vertaisarvioitu
Tanskanen, J.M.; Kangaslahti, P.; Ahtola, H.; Jukkala, P.; Karttaavi, T.; Lahdes, M.; Varis, J.; Tuo...
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques2000 Julkaisujen tiedon ikoni

Cryogenic indium phosphide HEMT low noise amplifiers at V-band

Tanskanen, J.; Salminen, H.; Kangaslahti, P.; Jukkala, P.; Karttaavi, Timo; Lahdes, Manu; Tuovinen, ...
URSI/IEEE XXIV Convention on Radio Science1999 Julkaisujen tiedon ikoni

Direct Band Gap Semiconductors with Two- and Three-Dimensional Triel-Phosphide Frameworks (Triel=Al, Ga, In)

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1002/chem.202304097
Restle, Tassilo M.F.; Zeitz, Sabine; Stanley, Philip M.; Karttunen, Antti J.; Meyer, Jan; Raudaschl-...
CHEMISTRY: A EUROPEAN JOURNAL2024

Anisotropic defect structure of indium gallium phoshide on gallium arsenide

2004

Innovative Solvent Extraction Processes for the Separation of Indium, Germanium, and Gallium from Iron

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1007/978-3-031-50236-1_24
2024

Indium and Gallium Extraction using Ionic liquids: Experimental and Theoretical Study

Vertaisarvioitu
2023

Indium and Gallium Extraction using Ionic Liquids: Experimental and Theoretical Study

2023

Epitaxial lateral overgrowth of indium phosphide on silicon

2003

Indium Phosphide MMICs for cryogenic space-borne radiometers

1998

Indium phosphide nanopillar growth by hydride vapour phase epitaxy

2007

Cryogenic indium-phosphide HEMT low-noise amplifiers at V-band

Vertaisarvioitu
2000

Cryogenic indium phosphide HEMT low noise amplifiers at V-band

1999

Direct Band Gap Semiconductors with Two- and Three-Dimensional Triel-Phosphide Frameworks (Triel=Al, Ga, In)

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1002/chem.202304097
2024